반도체는 워낙 전문적인 분야이기 때문에 여러 가지 어려운 용어들이 많이 등장합니다. 반도체는 우리나라의 가장 중요한 산업이기도 하고, 이 분야에 관심이 있는 투자자들은 산업을 이해하기 위해서는 어렵더라도 용어의 개념 정도는 알아두어야 할 것입니다. 최근 1c DRAM 같이 알파벳 글자들을 메모리 반도체 앞에 붙이는 사례들이 종종 보이는데, 어떤 것을 말하는지 같이 알아봅시다.
1c DRAM이 뭐지?
1c DRAM은 10나노대 초반의 극미세화된 공정 기술로 제조된 메모리 반도체를 말합니다. EUV 공정과 신소재를 적용하여 공정 효율을 극대화 했습니다. 동작 속도는 8Gbps로, 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 더 빠르고, 전력효율은 9% 이상 개선되었습니다.
‘1c’는 미세화된 선폭을 일컫는 용어입니다. 좀 더 자세히 알아봅시다.
미세공정 선폭 표시
DRAM 공정 기술의 발전에 따라 선폭 표기 방식도 점차 변화해왔습니다. 이러한 변화는 공정 기술의 미세화와 복잡성 증가를 반영합니다.
20나노대 선폭 표기
20나노대에서는 비교적 단순한 표기 방식을 사용했습니다. 선폭이 미세해짐에 따라 2x, 2y, 2z로 표기했는데, 여기서 x는 20나노대 후반, y는 중반, z는 초반을 의미합니다. 이 방식은 대략적인 선폭 범위를 나타내는 데 효과적이었습니다.
10나노대 선폭 표기의 세분화
10나노대에 진입하면서 선폭 표기 방식이 더욱 세분화되었습니다. 1x부터 시작하여 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 순으로 표기하며, 각각은 대략 2, 3나노 간격의 선폭 차이를 나타냅니다. 예를 들어, 1x는 18나노, 1c는 11~12나노 정도의 선폭을 의미합니다. 이러한 세분화는 미세공정 기술의 발전 속도가 둔화되면서 더 작은 단위의 진보를 표현할 필요성이 생겼기 때문입니다.
표기법의 한계
이러한 표기법은 단순히 물리적인 선폭만을 나타내는 것이 아닙니다. 최근에는 실제 회로의 선폭과 정확히 일치하지 않으며, 오히려 전반적인 기술 세대를 나타내는 마케팅 용어로 사용되는 경향이 있습니다. 1c 이후에도 1d, 1e 등으로 더 미세한 공정을 표현할 수 있지만, 이는 물리적 한계에 가까워지고 있음을 의미하기도 합니다.
1c DRAM과 HBM4의 관계
1c DRAM의 제조가 HBM4로 가기위해 중요한 과정이라고 합니다. 정리해 보면 다음과 같습니다.
- 1c DRAM은 이전 세대보다 더 높은 집적도와 처리 속도를 제공합니다. 이는 HBM4가 요구하는 고성능을 충족시키는 데 필수적입니다.
- HBM4는 높은 대역폭을 필요로 하지만, 동시에 열 관리와 전력 소모 문제를 해결해야 합니다. 1c DRAM은 전력 소모를 줄이고 효율성을 높여 이 문제를 해결하는데 도움을 줍니다.
- 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4 개발에서 1c DRAM을 핵심 기술로 활용하려 하고 있습니다. 이는 HBM 시장에서의 경쟁력 확보를 위한 중요한 전략입니다.
- 1c DRAM의 향상된 성능은 AI 모델 학습이나 대규모 시뮬레이션과 같은 고속 연산이 필요한 분야에서 필수적입니다.
- HBM4에 1c DRAM을 적용함으로써, 메모리 기술의 진보를 이끌어내고 차세대 체품의 성능을 크게 향상시킬 수 있습니다.
맺음말
1c DRAM은 이전 세대보다 대역폭과 소비전력 효율면에서 크게 향상된 메모리 제품입니다. 더불어, HBM4 개발에 있어 핵심기술로 간주되며, 메모리 제조업체들은 이 기술의 개발과 적용에 많은 노력을 기울이고 있습니다.